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基本半導(dǎo)體榮獲2020年度中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)

  6月28日,在上海舉行的2020中國IC領(lǐng)袖峰會暨中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮傳來喜訊,基本半導(dǎo)體車規(guī)級全碳化硅功率模塊BMB200120P1榮獲2020年度中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之功率器件獎(jiǎng)項(xiàng)!

  

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  中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)是中國電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)評選活動(dòng)之一,由Aspencore旗下《電子工程專輯》、《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》和《國際電子商情》聯(lián)合主辦,通過對中國的IC設(shè)計(jì)公司進(jìn)行年度產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀調(diào)查,評選和表彰優(yōu)秀的IC設(shè)計(jì)公司、半導(dǎo)體前端制造、EDA工具和IP服務(wù)公司。最終結(jié)果由電子工程師、資深分析師和半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士投票評選產(chǎn)生,獎(jiǎng)項(xiàng)和獲獎(jiǎng)?wù)叽碇袠I(yè)的最高水準(zhǔn)?;景雽?dǎo)體此次榮登榜單,代表公司研發(fā)實(shí)力和技術(shù)創(chuàng)新能力再次得到業(yè)界的肯定和認(rèn)可。

  

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  基本半導(dǎo)體自成立以來,致力于碳化硅功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,自主研發(fā)高性能、高可靠性的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊產(chǎn)品。此次獲獎(jiǎng)的車規(guī)級全碳化硅功率模塊BMB200120P1針對新能源汽車主逆變器設(shè)計(jì),采用業(yè)內(nèi)主流的單面水冷散熱形式,為高效電機(jī)控制器設(shè)計(jì)提供便利?;诨景雽?dǎo)體最新的碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝,BMB200120P1在柵極電輸入電容、內(nèi)部寄生電感、熱阻等多項(xiàng)主要參數(shù)上達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

  

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  在中美科技冷戰(zhàn)和全球新冠疫情的大變局下,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展面臨極大的挑戰(zhàn)和難得的機(jī)遇。作為快速成長的中國半導(dǎo)體企業(yè),基本半導(dǎo)體將繼續(xù)加大對碳化硅功率器件的自主研發(fā)投入,不斷深化技術(shù)、產(chǎn)品和管理的創(chuàng)新模式,積極推進(jìn)第三代半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代進(jìn)程。

  

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