為降低電源系統(tǒng)的耗電量、縮小其體積做出貢獻(xiàn)
開始發(fā)售功率半導(dǎo)體「1200V SiC-SBD」
近日，三菱電機(jī)株式會社發(fā)布了1200V Si-SBD(碳化硅肖特基二極管)，該產(chǎn)品有利于降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)、EV充電器等系統(tǒng)的損耗和體積。預(yù)計將于2019年6月提供樣品，2020年1月開始發(fā)售。本產(chǎn)品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕張舉行), “PCIM Europe2019展”(5月7～9日于德國紐倫堡舉行), “PCIM※1 Asia2019展”(6月26～28日于中華人民共和國上海舉行)上展出。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管
新產(chǎn)品的特點
1.通過采用SiC，有利于降低系統(tǒng)損耗和體積
?通過使用SiC大幅降低開關(guān)損耗，降低約21%的電力損耗※3
?實現(xiàn)高速開關(guān)，有利于縮小電抗器等配套零部件的體積
※3 與內(nèi)置PFC電路的三菱電機(jī)產(chǎn)品功率半導(dǎo)體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si(硅)二極管相比
2.通過采用JBS結(jié)構(gòu)，提高可靠性
?采用pn結(jié)與肖特基結(jié)相結(jié)合的JBS※4結(jié)構(gòu)
?通過JBS結(jié)構(gòu)提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3.由5個產(chǎn)品構(gòu)成的產(chǎn)品陣容可對應(yīng)各種各樣的用途
?除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴(kuò)大絕緣距離的TO-247-2封裝
除民用品外還可對應(yīng)工業(yè)等各種各樣的用途
?產(chǎn)品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產(chǎn)品(BD20120SJ)，也可對應(yīng)車載用途
※5 Automotive Electronics Council：車載電子零部件質(zhì)量規(guī)格
發(fā)售概要
銷售目標(biāo)
近年來，出于節(jié)能環(huán)保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現(xiàn)高速開關(guān)的功率半導(dǎo)體的期待逐漸高漲。三菱電機(jī)自2010年起陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導(dǎo)體模塊，廣泛應(yīng)用于空調(diào)以及工業(yè)機(jī)械、鐵路車輛的逆變器系統(tǒng)等，為降低家電及工業(yè)機(jī)械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻(xiàn)。
在這一背景下，此次將發(fā)售采用了SiC的功率半導(dǎo)體“SiC-SBD”。在電源系統(tǒng)中應(yīng)用“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統(tǒng)耗電量，縮小體積做出貢獻(xiàn)。
本產(chǎn)品的開發(fā)得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬酸化膜半導(dǎo)體製の電界効果トランジスタ
主要規(guī)格
※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的產(chǎn)品陣容
粗框內(nèi)為本次的新產(chǎn)品。
