米勒效應(yīng)所產(chǎn)生的電容和峰值問(wèn)題在日常工作中，屬于一種比較常見(jiàn)的情況。在IGBT模塊操作中，如果沒(méi)有及時(shí)處理米勒電容問(wèn)題，很容造成IGBT損壞。那么，寄生米勒電容有哪些危害?工程師應(yīng)該如何快速的清除IGBT寄生米勒電容問(wèn)題呢?就讓我們通過(guò)下文進(jìn)行詳細(xì)的分析和介紹。
在日常的工作過(guò)程中，IGBT模塊操作時(shí)一旦出現(xiàn)了米勒效應(yīng)的寄生電容問(wèn)題，往往見(jiàn)于明顯的在0到15V類型的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，也就是工程師們常說(shuō)的單電源驅(qū)動(dòng)器。門(mén)集-電極之間的耦合在IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通，也就是門(mén)集電壓尖峰，這對(duì)于IGBT乃至整機(jī)來(lái)說(shuō)，都是一種潛在的危險(xiǎn)。
通常情況下，為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生，國(guó)內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個(gè)辦法是為配置添加門(mén)極和發(fā)射極之間的電容，第二是通過(guò)使用負(fù)門(mén)極驅(qū)動(dòng)。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二個(gè)方案則需要考慮到額外費(fèi)用和成本問(wèn)題，工程師需要依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行比較和判斷。
目前業(yè)內(nèi)所采用通過(guò)縮短門(mén)極—發(fā)射極的路徑，用一個(gè)晶體管放在門(mén)極—發(fā)射極之間是一種比較常用的方法。這種方法在達(dá)到一定的閾值之后，晶體管將造成門(mén)極— 發(fā)射極地區(qū)的短路。我們將這種加入額外晶體管的技術(shù)稱之為源米勒鉗位，這種辦法是能夠有效消除米勒效應(yīng)產(chǎn)生的寄生電容問(wèn)題。
結(jié)語(yǔ)
工程師在了解了米勒效應(yīng)寄生電容所產(chǎn)生的根本原因之后，可以因地制宜的進(jìn)行解決方案的選擇。及時(shí)消除米勒電容問(wèn)題可以充分保證IGBT的正常工作運(yùn)轉(zhuǎn)，也能夠有效的提升機(jī)體工作時(shí)長(zhǎng)和工作效率。
