不想當將軍的士兵不是好士兵，進行碳化硅（SiC）融資的企業大概率是奔著上市去的。之所以能夠融到資，皆因碳化硅是一種具有特殊性質的半導體材料，在高溫、高功率、高壓、高頻等極端環境下具有廣泛的應用前景。
不過，由于碳化硅材料制備工藝復雜，技術門檻高，生產成本也相對較高，因此碳化硅材料企業通常需要較大的資金支持。通過融資、上市，企業可以獲得更多的資金支持，擴大生產規模，提高技術水平，增強市場競爭力；也可以提高企業知名度和品牌價值，吸引更多的優秀人才和合作伙伴，為企業的長期發展奠定堅實的基礎。
然而，上市并不是企業發展的唯一目的，也不是所有企業都能夠成功上市。要想成功上市，需要具備強大的技術實力、穩定的市場需求和良好的財務狀況等條件；還需要注重自身核心競爭力和可持續發展能力，不斷提高產品質量和服務水平，以滿足客戶的需求和投資者的期望。
我們來看看在國內還沒有上市的一些碳化硅企業表現如何。
南砂晶圓
南砂晶圓成立于2018年，是一家從事碳化硅單晶材料研發、生產和銷售三位一體的國家高新技術企業。公司以山東大學近年來研發的最新碳化硅單晶生長和襯底加工技術成果為基礎，與山東大學開展全方位產學研合作。
該公司2022年底完成了B+輪融資，由渾璞投資領投。早在2021年9月，總投資9億元的總部基地項目封頂，其用地面積36.8畝，規劃建筑面積91372.47平方米，項目建成穩定運營后可年產碳化硅各類襯底15萬片。
2022年公司聯合山東大學晶體材料國家重點實驗室經過多年的理論和技術攻關，實現了高質量8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備。
晶越半導體
晶越成立于2020年，主要聚焦于6-8英寸導電型碳化硅襯底材料的研發、生產與銷售。
2020年6月，當地市經開區與溢起投資合伙企業、高冰博士團隊在上海正式簽署“晶越碳化硅晶圓項目”三方投資協議書。該項目共分三期，總投資達100億元，一期投產后將具備月產1500片碳化硅晶圓能力。
2021年7月，浙江紹興市生態環境局受理晶越碳化硅項目環評文件。據介紹，該項目一期擬投資約1.35億元，年產1.2萬片6英寸碳化硅晶片。
2022年6月，晶越完成完成B輪融資，領投方為紅杉資本等，此輪融資估值達1.35億元。
粵海金半導體
粵海金成立于2022年，是高金富恒集團旗下專門從事碳化硅半導體材料研發與生產的產業化公司，旗下有山東東營產業化基地和北京研發中心兩大核心板塊。
該公司在工藝技術上依托中科鋼研、國宏中宇第三代半導體材料制備關建共性技術北京市工程實驗室的強大科研能力，已形成具有自主知識產權的關鍵核心技術體系。
國宏中能年產11萬片碳化硅襯底項目總投資6.5億元，總建筑面積3萬平方米。通過在材料制備技術體系、核心裝備研制上的持續科研投入，同時緊密結合研發成果的產業化生產轉化，目前該項目已經具備投產條件。
2023年5月，公司完成過億元PreA輪融資。據了解，自2022年9月以來，高金富恒已陸續投資超6億元，對北京研發中心、山東生產基地進行技術升級和擴能改造。目前，粵海金的碳化硅襯底即將量產交付。
2023年11月，粵海金半導體成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片。
科友半導體
科友半導體成立于2018年，是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域。
2022年5月，隨著2020年開工的科友半導體產學研聚集區項目一期工程收尾完工，以科友自有技術為依托的年產10萬片第三代半導體襯底材料生產線即將投產。
公司已形成自主研發的6-8英寸碳化硅晶體生長關鍵技術及2-4英寸氮化鋁晶體生長關鍵技術，6英寸碳化硅晶體厚度成功突破40mm。2022年底，科友半導體通過自主設計制造的電阻長晶爐產出直徑超過8英寸的碳化硅單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是該公司繼在6英寸碳化硅晶體實現40mm厚度突破后，取得的又一次極具歷史意義的重大突破。
據了解，科友半導體現有長晶爐生產線1條，年產長晶爐200臺，高純石墨加工設備、高純度碳化硅原料制備設備各一套；6-8寸碳化硅晶體生產線1條，年產6-8寸碳化硅襯底10萬片。
科友半導體已突破8英寸碳化硅量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得可喜成績。2023年4月，其8英寸碳化硅中試線正式貫通并進入生產，平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，打破了國際限制和封鎖。
爍科晶體
中國電科旗下爍科晶體成立于2018年，是國內從事第三代半導體材料碳化硅生產和研發的領軍企業。其打造的中國電科（山西）碳化硅材料產業基地一期項目于2019年4月1日開工建設，2020年3月基地第一批設備正式啟動。一期項目可容納600臺碳化硅單晶生長爐，建成后將具備年產10萬片4-6英寸n型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產能力，是目前國內最大的碳化硅材料產業基地。
目前4英寸高純半絕緣碳化硅襯底已實現產業化，月產能8000片，在國內市場占有率超過50%。2022年，在高純半絕緣襯底穩定生產前提下，大幅提升了6英寸n型襯底產能，此前產能為6000片/月。同年，實現了8英寸n型碳化硅拋光片小批量生產，向8英寸國產n型碳化硅拋光片的批量化生產邁出了關鍵一步。
二期項目于2023年9月開始建設，10月進入主體鋼結構施工，11月主體完成封頂，并具備設備進廠條件。2024年2月二期項目投產，預計2025年全面投產后碳化硅襯底年產能可達30萬片。
微芯長江
微芯長江成立于2020年，由上海申和投資有限公司、中國科學院上海硅酸鹽研究所、銅陵市國有資本運營控股集團等投資建設，主要從事碳化硅錠、碳化硅片及相關產品的研發、生產和銷售。
2020年，微芯長江碳化硅單晶襯底研發及產業化項目順利開工，投資13.50億人民幣，建設工期4年，項目截止期為2024年10月，投產后前3年生產負荷分別為33%、67%、100%。達成后預計年產4英寸碳化硅晶圓3萬片、6英寸晶圓12萬片。2021年11月，微芯長江舉行年產15萬片碳化硅晶圓片項目建設工程竣工儀式。
乾晶半導體
乾晶半導體成立于2020年，專注于第三代半導體材料領域，是一家集半導體碳化硅單晶生長、晶片加工和設備開發為一體的高新技術企業。
2023年2月，乾晶半導體完成1億元Pre-A輪融資。4月，乾晶半導體“功率器件用6/8英寸碳化硅拋光襯底研發、中試項目”開工。該項目總占地面積22畝，總建筑面積約19000平方米，總投資約3億元，計劃建成碳化硅6/8英寸單晶生長和襯底加工的中試基地。
5月，浙大杭州科創中心先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯合實驗室成功研制出8英寸導電型碳化硅，包括8英寸碳化硅晶錠、8英寸碳化硅拋光襯底。晶錠生長采用多段式電阻加熱物理氣相傳輸（PVT）工藝，生長出厚度達27mm的8英寸n型碳化硅單晶錠，加工獲得了8英寸碳化硅襯底，成功躋身于8英寸碳化硅俱樂部。
據了解，在長晶技術方面，乾晶生長的6英寸碳化硅晶體厚度在20mm以上，最厚可達50mm，長晶成品率達70%，晶體生長時間為5天，處于國內領先水平。在切割方面，乾晶解決了金剛石線高線速切削加工劇烈、晶片翹曲度大的問題，切割一刀時長縮短到20小時，大大提高了加工效率。此外，乾晶半導體正在開發激光剝離技術，有望進一步降低晶片切割損耗和損傷層厚度。
天科合達
天科合達成立于2006年，是國內首家專業從事第三代半導體碳化硅晶片研發、生產和銷售的國家級高新技術企業，業務涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備；碳化硅襯底市占率全球排名第二。
2022年11月，天科合達發布8英寸導電碳化硅襯底晶片，多項指標均處于業內領先水平，已達到量產標準，2023年開始小規模量產。
2023年2月，天科合達完成Pre-IPO輪融資。8月，碳化硅晶片二期擴產項目開工，將新增16萬片產能，計劃2024年6月完成建設，8月竣工投產，屆時總產能將達到23萬片。
2023年5月，天科合達與英飛凌簽訂長期協議，將提供6英寸碳化硅晶圓和晶錠，供應量將占英飛凌長期需求量的兩位數份額；并將提供8英寸直徑碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸直徑晶圓過渡。
2023年9月，因經濟及證券市場原因，IPO政策突然收緊，天科合達再次止步IPO。不過，2023年下半年，公司營收首次突破10億元，較上年翻了一番。據了解，公司現已累計服務國內外500余家客戶，累計銷售導電型碳化硅襯底材料60余萬片。
天達晶陽
天達晶陽成立于2020年，以中國科學院物理研究所、天科合達為技術依托，采用的技術綜合實力在碳化硅單晶襯底行業排名國內第一、世界第四，達到了國內領先和國際先進水平。
2021年4月，天達晶陽碳化硅單晶體項目開始進行無塵車間改造，一期54臺碳化硅單晶生長爐已全部到場，30臺已安裝到位進行調試。
2022年4月，公司再投資7.31億元，將建設400臺套完整設備的碳化硅晶體生產線，達產后4-8英寸碳化硅晶片的年產能將達到12萬片。
中電化合物
中電化合物成立于2019年，是由華大投資的一家碳化硅晶體、襯底、外延和GaN外延制造企業，持股比例超過48.93%。
2022年10月，中電化合物總投資10.5億元建設寬禁帶半導體材料項目，并計劃2021-2025年投入8億元。該項目將分二期建設：一期投資2.2億元，租用1萬平方米廠房；二期征用土地70畝，形成年產8萬片4-6寸碳化硅襯底及外延、碳化硅基氮化鎵N外延能力。
2023年6月，中電化合物與韓國Power Master簽署長期供應包括8英寸碳化硅材料的協議。7月，中電化合物獲瑞能半導投資5000萬元。
天成半導體
天成半導體成立于2021年，經營范圍包括半導體器件專用設備制造、電子專用材料研發、新興能源技術研發等。
2021年11月，山西省審批通過天成半導體碳化硅項目。該項目投資額3000萬元，采用PVT法生長6英寸碳化硅晶錠，正式投產后年產1500kg晶錠。
2022年4月，天成半導體僅用半年時間就將4英寸碳化硅襯底升級至6英寸，并即將投產。二期項目包括廠房擴建、設備擴充及一條全自動線切割拋光清洗加工線，完成后將年產導電型和半絕緣型碳化硅襯底2萬片。
二期10000平方米廠房已接近驗收，規劃年產10萬片；二期一單元已建成，產能達到月產1000片，并已有客戶提前預定。
超芯星
超芯星成立于2019年，是國內第一家專注于大尺寸碳化硅襯底產業化的公司，目前已經實現6英寸碳化硅襯底量產出貨。超芯星創始團隊源自國際頂尖HTCVD法的Norstel公司，曾主導1、2、3、4、6英寸碳化硅襯底的研發及產業化。
據了解，超芯星是國內極少數具備國際競爭力的碳化硅襯底供應商，目前其6英寸碳化硅襯底已順利進入美國一流器件廠商，這也是國內碳化硅襯底公司在國際市場上的首次突破。為滿足全球市場的旺盛需求，公司正在有序交貨和積極擴產，預計6-8英寸碳化硅襯底產能未來將提升至150萬片/年。
2023年12月，超芯星完成數億元C輪融資。
同光半導體
同光半導體成立于2012年，公司致力于碳化硅單晶襯底的研發、生產及銷售，是國內率先量產碳化硅單晶襯底的制造商之一，也是國際上少數同時掌握高純半絕緣襯底和導電型襯底制備技術的企業。
歷經2年多的研發，同光半導體8英寸導電型碳化硅晶體樣品已經出爐，目前正在攻關加工成碳化硅單晶襯底，預計近期可實現小批量生產，將由客戶制成功率芯片。
2022年，河北同光碳化硅襯底產能約為10萬片/年，并在規劃建設2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地和年產60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，預計2025年末達產。
世紀金芯
世紀金芯成立于2019年，是一家致力于第三代半導體碳化硅功能材料研發與生產的技術企業。
2022年9月，世紀金芯年產3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目在合肥投產，晶體良率達到92%以上，綜合良率達到65%；襯底外延后至下游芯片流片結果統計，SBD產品綜合良率在95%以上，MOSFET產品綜合良率達到88%。產品已批量生產與交付。同時，8英寸單晶研發進展順利，已步入送樣驗證階段，產品各項指標均處于業內領先水平。
2024年1月，世紀金芯全資子公司宇海電子年產能70萬片6-8英寸碳化硅單晶襯底項目在包頭發改委完成備案審批。項目總投資35億元，占地270畝，年產能為70萬片6-8英寸碳化硅單晶襯底。總建筑面積約12萬平方米，包含碳化硅長晶爐、切磨拋加工及測試等相關設備設施。總建設周期三年，計劃建設年限為2024年4月至2027年4月。
據了解，世紀金芯產品已覆蓋6英寸、8英寸碳化硅襯底及其他第三代半導體材料研究。其6英寸碳化硅襯底已與國內幾家頭部外延及晶圓廠商達成訂單合作，并與HT、ZDK完成多批次樣品驗證，還在與臺灣HY、JJ、韓國GJ實驗室、SX進行產品驗證，與日本FG等進行8英寸襯底產品驗證。
國碳半導體
國碳半導體成立于2020年，其碳化硅長晶技術研發工作始于1991年，是一家致力于碳化硅襯底晶體生長、加工及關鍵設備的技術開發、生產及銷售的創新型企業。
公司創始團隊兼具豐富的襯底材料研發經驗和成熟的企業運營管理經驗，6-8英寸碳化硅襯底研發項目已落地深圳市中清欣達膜技術研究院，并計劃投資10億元，在深圳新建年產24萬片6寸碳化硅襯底生產線。
2022年10月，國碳半導體6英寸車規級碳化硅襯底項目在深圳正式投產。2023年11月，公司宣布已獲得全球頭部客戶的Vendor Code，目前已鎖定年產50萬片的意向性產能需求。
該公司還表示，2023年11月，聘請了華興泛亞投資顧問（北京）有限公司負責融資工作，本輪融資主要用于中山生產基地建設。
博藍特半導體
博藍特半導體成立于2012年，是一家快速成長的國家高新技術企業。公司擁有國際領先的光學、半導體制備工藝技術，利用先進的新型半導體材料加工設備開展GaN基LED芯片襯底及第三代半導體材料的研發及產業化。
2019年12月，博藍特與金華經濟技術開發區就年產15萬片碳化硅襯底及200萬片用于Mini/Micro-LED顯示技術的大尺寸藍寶石襯底研發及產業化合作項目簽約。2020年7月，該項目開工奠基。
2022年2月，金華金投完成對博藍特半導體的增資，合計融資規模3.65億元。公司將加強研發投入，在鞏固圖形化襯底優勢基礎上，加快對第三代半導體材料的布局。
重投天科
重投天科成立于2020年，是一家專業從事第三代半導體碳化硅晶片研發、生產和銷售的高新技術企業。重投天科由深圳市重大產業投資集團有限公司、天科合達、深圳市和合創芯微半導體合伙企業及產業資本出資構成項目實施主體。
2022年6月，重投天科發生工商變更，新增寧德時代等為股東，同時注冊資本增至22億元人民幣，增幅達1275%。
晶格領域
晶格領域成立于2020年，是集碳化硅襯底研發、生產及銷售于一體的創新型高新技術企業。該公司是國內首家以液相法為核心技術生長碳化硅晶體的企業，掌握具有自主知識產權的液相法生長碳化硅晶體技術，相比目前物理氣相傳輸法生長技術（PVT法），該方法能有效提高晶體質量，降低生產成本，并能解決碳化硅襯底p型摻雜難以實現的產業化難題，對于推動寬禁帶半導體產業發展具有重要意義。
該公司運營的液相法生長碳化硅半導體襯底項目是中科院物理所科技成果轉化項目，分三期落地實施，計劃總投資7.5億元。一期投資5000萬元，在中關村順義園租賃廠房1050平方米，建設4-6英寸液相法碳化硅晶體中試生產線。2021年4月，其第一批設備全部進場，并開始試生產。
在晶體生長方面，該公司目前已成功生長出4-6英寸p型碳化硅晶體，晶體尺寸、晶體質量與厚度均處于國際領先水平。
盛新材料
盛新材料成立于2020年，是中國臺灣為數不多可同時生產6英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底的廠商，在高品質長晶領域擁有技術優勢。
據了解，2022年盛新材料的6英寸碳化硅襯底月產能僅為400片左右，之后又將碳化硅長晶爐的數量增加至65臺，其中5臺來自美國，10臺來自日本，其余50臺是與股東廣運集團（Kenmec）合作自制，65臺長晶爐月產能可達1200-1600片。
技術實力與市場競爭的雙重考驗
毋庸諱言，融資和上市是目前碳化硅企業發展的重要途徑，融資與上市之路需要面對技術實力與市場競爭的雙重考驗。
融資不僅為企業提供了資金支持，更是對其技術實力和市場前景的認可。上述一些企業已完成了不同輪次融資，這無疑是對他們技術實力和市場潛力的肯定。
然而，上市并不是企業發展的終點，而是新的起點。上市意味著企業需要接受更為嚴格的監管和市場的考驗。上市企業需要不斷提升自身的核心競爭力和可持續發展能力，以滿足客戶的需求和投資者的期望。只有這樣，企業才能在激烈的市場競爭中站穩腳跟，實現長期的商業價值。
即使是奔著上市去的，在實踐中也未必能夠成行，還是要把技術做到家，才能使企業的長期發展萬無一失。
