金融界網站訊，氮化鎵板塊快速拉升，士蘭微、華燦光電、星徽精密等概念股漲停。
氮化鎵好在哪？
隨著手機屏幕的增大和處理器性能的增加，對手機本身的電量儲備和充電時間也提出了高要求。如何“又快又好”成為了手機續(xù)航的重要問題。
我們看到，無論是iQOO的120W快充方案，還是OPPO125W快充方案，都應用到了電荷泵技術，它的原理是通過電容對電荷的積累效應而產生高壓，使電流由低電勢流向高電勢。簡單來說就是在充電的時候使用“高電壓、大電流”的方式，來提高充電功率。
這時候，充電器的功率也隨之增大，尤其是對于大功率的快充充電器，使用傳統(tǒng)的FET功率開關無法改變充電器的現狀。但相比硅材料，氮化鎵（GaN）是一種極穩(wěn)定的化合物，它的堅硬性好，熔點高，電離度高，并且可以在高速開關的情況下仍保持高效率水平，能夠應用于更小的元件，應用于充電器時可以有效縮小產品尺寸。
相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢？
1、充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時間傳導更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進行處理，充電更快。
2、散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠將過度充電的可能性最小化。
3、體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動件比硅基方案少得多，也進一步縮小了體積。
