近年來，隨著有關方面不斷加大封鎖力度，中國半導體產業逐漸意識到在技術水平上與國外之間的巨大差距。
盡管我國已經在盡全力追趕海外，并且試圖從材料、光源等方面彎道超車，但在明顯差距面前，國產還是慢人一步。
7月27日多方媒體消息，意法半導體中國的官方微信宣布：意法半導體瑞典北雪平工廠成功制造出首批8英寸（200mm）碳化硅晶圓片。
眾所周知，現階段傳統硅基晶圓是市場主流，但隨著工藝制程的不斷微縮，摩爾定律即將面臨物理極限，各大企業以及科研團隊開始從材料方面下功夫。
碳基晶圓被業界認為是下一代主流芯片原料，而碳化硅則屬于第三代半導體材料的典型代表。
作為一種寬禁帶化合物半導體材料，碳化硅的優點非常明顯。
根據資料顯示，碳化硅具備禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、大功率以及抗輻射等特制。而且在開關速度以及效率方面也有著明顯優勢，能夠起到大幅度降低產品功耗、減小產品體積的作用。
得益于此，碳化硅半導體器件可以被廣泛應用于高壓輸變電、軌道交通、通訊基站等重要領域。
不過，這類材料并非完美無缺，碳化硅有諸多優點，也有著明顯的缺陷。
據筆者了解，碳化硅不同于傳統硅材料，其生長效率非常低，而且生長出來的體積相對較小。
在一般情況下，碳化硅材料只能制備出100mm或150mm的晶圓。
此外，碳化硅的硬度非常高，即便與金剛石相比，這類材料的莫氏硬度也只低0.5左右。正所謂剛過易折，硬度如此高的碳化硅非常脆，導致制備損耗非常高，良率很低。
在2021產業和技術展望研討會上，英飛凌電源與傳感系統事業部市場總監程文濤曾表示：“碳化硅材料的加工門檻非常高，因此目前這個行業主要的碳化硅廠商，都是一些IDM廠商。”
例如Cree和美國的II-VI公司，這兩大巨頭占據了全球75%以上的市場。故而，意法半導體成功制造出首批200mm碳化硅晶圓片的消息，令整個業界都為之震驚。
由此可見，歐美國家的企業已經進入下一階段，在海外愈發密不透風的封鎖下，我國需要付出更大的努力才能夠追上并超越。
