2019年4月17日-19日，2019第二屆國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇(簡(jiǎn)稱：PSIC2019)將在北京盛大舉行,會(huì)議規(guī)模預(yù)計(jì)600人。期待業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)、專家、企業(yè)家及相關(guān)專業(yè)人士共襄盛舉!
第一屆會(huì)議2018國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇已于2018年6月22日在北京成功舉辦，論壇報(bào)告12個(gè)，共有來自8個(gè)國家和地區(qū)的386名新能源汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表參加論壇。
本屆論壇由中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、北京電力電子學(xué)會(huì)、中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、汽車電子元器件標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)、中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)電氣節(jié)能專委會(huì)、中國電源學(xué)會(huì)元器件專委會(huì)、中國新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國功率器件封測(cè)設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;北京清泉咨詢服務(wù)有限公司承辦此次論壇。
8：00-9-：30 | 巡展 | |
9：30-9： | 各方領(lǐng)導(dǎo)致辭 | |
10：00-10：30 | 中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì) | 中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì) |
10：30-11：00 | 電機(jī)逆變器IGBT功率模塊環(huán)境可靠試驗(yàn)評(píng)測(cè)技術(shù) | 中國一汽 趙慧超 所長 |
10：30-11：00 | 高功率密度SiC車用電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器研發(fā) | 中科院電工所 溫旭輝 研究員 |
11：00-11：30 | 基于高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽電池的材料工程與器件設(shè)計(jì) | 中科院 汪正平 院士 |
11：30-12：00 | 電動(dòng)汽車用功率半導(dǎo)體器件現(xiàn)狀與發(fā)展 | 宏微科技 趙善麒 總裁 |
12：00-14：00 | 午餐 | |
14：00-14：20 | SilverSAM在高可靠性功率模塊的應(yīng)用 | ASM 丁佳培 博士 |
14：20-14：50 | 深耕功率芯技術(shù)，助力新能源 | 華虹宏力 楊繼業(yè) 技術(shù)總監(jiān) |
14：50-15：10 | 針對(duì)功率模塊的解決方案以及工程服務(wù) | 賀利氏 盧飛 營銷經(jīng)理 |
15：10-15：30 | 車用IGBT芯片及模塊技術(shù)研究 | 士蘭微 顧悅吉 高級(jí)研發(fā)經(jīng)理 |
15：30-16：00 | 碳化硅在車載電源系統(tǒng)的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì) | 基本半導(dǎo)體 蔡雄飛 營銷總監(jiān) |
16：00-16：20 | 銅在IGBT中的應(yīng)用 | 奧魯比斯 Helge Lehmman |
16：20-16：40 | K&S大功率超聲波端子焊接技術(shù)在IGBT功率模塊中的應(yīng)用 | KnS 陳蘭蘭 應(yīng)用經(jīng)理 |
16：40-17：00 | 真空回流焊技術(shù)及應(yīng)用 | 友強(qiáng)國際 周丹 技術(shù)總監(jiān) |
17：00-17：30 | 適用中國市場(chǎng)的新一代車用IGBT國產(chǎn)化之路 | 上汽英飛凌 王學(xué)合 總經(jīng)理 |
17：30-20：00 | 晚宴 | |
8：30-9：00 | 巡展 | 全體 |
9：00-9.30 | 碳化硅器件在新能源汽車中的應(yīng)用 | 清華大學(xué) 李永東 教授 |
9：30-9：50 | 基于SIC技術(shù)的電機(jī)控制 | 聯(lián)合電子 孫輝 研發(fā)總監(jiān) |
9：50-10：20 | 新能源汽車用碳化硅功率模塊封裝技術(shù)發(fā)展 | 采埃孚研發(fā)中心 梁小廣 主任工程師 |
10：20-10：40 | 基于sic的電動(dòng)汽車電控和充電電源解決方案 | 泰科天潤 李志君 技術(shù)總監(jiān) |
10：40-11：00 | Origin甲酸還原技術(shù)在IGBT/SIC Mosfet功率模塊封裝中的應(yīng)用 | origin 馬卿 中國區(qū)市場(chǎng)經(jīng)理 |
11：00-11：30 | 基于開通暫態(tài)過程優(yōu)化的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 | 清華大學(xué) 陸海峰 副教授 |
11：30-12：00 | 寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝集成技術(shù) | 西安交通大學(xué) 王來利教授 |
12：00-14：00 | 午餐 | |
14：00-17：00 | 交流、展商溝通 |
