功率MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源時(shí)應(yīng)注意以下幾個(gè)問題。
(1)柵極電路的阻抗非常高，易翼靜電損壞。
(2)直流輸入阻抗高，但輸入容量大，高頻時(shí)輸入阻抗低，因此，需要降低驅(qū)動(dòng)電路阻抗。
(3)并聯(lián)工作時(shí)容易產(chǎn)生高頻振蕩。
(4)導(dǎo)通時(shí)電流沖擊大，易產(chǎn)生過電流。
(5)很多情況下，不能原封不動(dòng)地用于雙極型晶體管的自激振蕩電路。
(6)寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，很多情況下與場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)速度不平衡。
(7)開關(guān)速度快而產(chǎn)生噪聲，容易使驅(qū)動(dòng)電路誤動(dòng)作，特別是開關(guān)方式為橋接電路、柵極電路的電源為浮置時(shí)，易發(fā)生這種故障。
(8)漏極-柵極間電容極大，漏極電壓變化容易影響輸入。
(9)加有負(fù)反饋，熱穩(wěn)定性也比雙極型晶體管好，但用于電流值較小情況下不能獲得這種效果。
(10)理論上沒有電流集中而產(chǎn)生二次擊穿，但寄生晶體管因du/dt受到損壞，從而場(chǎng)效應(yīng)晶體管也受到損壞。
